自1960年代引入以来,半导体的性能显著提高,布线宽度缩小了约1/10,000。曾经只容纳一个晶体管的区域现在包含超过10,000个晶体管,而曾经只有几层的半导体现在堆叠了数百层,就像摩天大楼。构成半导体的布线宽度现在超过纳米(nm)单位,正接近埃(Å)级别。
为了进一步推进这一不断发展的演变,我们将继续追求尖端开发。为了准确且大规模地集成半导体,有必要在几乎无杂质的环境中进行反应,并将晶圆表面抛光到极其平坦的表面。为此,我们的产品如"干式真空泵"和"CMP装置"被使用。
自1960年代引入以来,半导体的性能显著提高,布线宽度缩小了约1/10,000。曾经只容纳一个晶体管的区域现在包含超过10,000个晶体管,而曾经只有几层的半导体现在堆叠了数百层,就像摩天大楼。构成半导体的布线宽度现在超过纳米(nm)单位,正接近埃(Å)级别。
为了进一步推进这一不断发展的演变,我们将继续追求尖端开发。为了准确且大规模地集成半导体,有必要在几乎无杂质的环境中进行反应,并将晶圆表面抛光到极其平坦的表面。为此,我们的产品如"干式真空泵"和"CMP装置"被使用。
为了让我们的生活在未来更加便利,我们将需要比以往更高性能的大量半导体。为此,我们将继续加强我们的开发和生产能力。尽管我们不生产日常使用的产品,但我们继续在半导体制造过程中迎接重大挑战,这将支持未来更便利的生活。