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精密・電子事業カンパニー

超高濃度クリーンオゾナイザ

新しい放電原理によるオゾナイザです。
無声放電と沿面放電の複合放電により超高濃度オゾンを生成します。

特長

  1. 超高濃度(10vol%以上)・大流量のオゾンを安定して発生
  2. 電極に単結晶サファイア誘電板や高純度材質の採用により、不純物やパーティクルを含まないクリーンなオゾンガスを発生できます。
  3. 1993年の販売開始から、世界の半導体工場において豊富な納入実績があります。また、CEマーキング,SEMI S2、S8の規格はもとより、SEMI F47-0200(瞬時電圧低下対策)にも対応可能です。
超高濃度クリーンオゾナイザ

用途

  1. TEOS-O3 CVD装置
  2. オゾン水製造装置
  3. LP-CVD装置
  4. ALD-CVD装置
  5. レジスト剥離装置
  6. 乾式/湿式洗浄装置
  7. その他、フォトマスク、LED、HD等の酸化プロセス用途)

超高濃度クリーンオゾナイザ

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