デザインルール65nmノード以降の微細配線、及びそれに伴うシード層薄膜化に対応しためっきプロ セス要求を満たすため新規に開発しました。 |
特長
- 多孔質高抵抗体
・高抵抗シードにおいて優れた面内均一性を実現
・埋め込みに有利な中・高Acidめっき液の使用が可能
・次世代アプリケーションとして期待されるダイレクトめっきプロセスに対応 - プロセス性能
・優れた埋め込み性
・密配線部のマウンディングを押さえかつ幅広配線部のボトムアップを促進
・広いプロセスウインドウ - 不溶解アノード
・ディフェクト原因となるブラックフィルムが発生しない
・メンテナンス負荷を低減
・CoC改善 - セルデザイン
・同一セル内にて前処理、めっき、ポストリンス、乾燥と続く一連のプロセス処理が可能
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