本装置はウェーハ表面を化学的機械的に研摩するクリーンルーム設置形のCMP装置です。市場で証明された高い信頼性と優れたプロセス性能を持った本装置は、各ユーザの仕様に対応するようフレキシブルな装置構成が可能です。 |
特長 |
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| *「ドライイン/ドライアウトでウェーハ(半導体デバイス)を研摩及び洗浄する方法・装置」は米国特許取得済みです。 | |
エバラが磨きあげた…平坦化プロセス技術の完成です。
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| 項目 | 仕様 | |
| 構成 | トップリング数 | 2 (200mmウェーハ対応) |
| ターンテーブル数 | 2 | |
| バフテーブル数 | 2 | |
| 洗浄ユニット数 | 4 | |
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| 項目 | 仕様 | |
| 構成 | トップリング数 | 2 (300mmウェーハ対応) |
| ターンテーブル数 | 2 | |
| 洗浄ユニット数 | 4 | |
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| 項目 | 仕様 | |
| 構成 | トップリング数 | 4 (300mmウェーハ対応) |
| ターンテーブル数 | 4 | |
| 洗浄ユニット数 | 4 | |
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